规格书 |
MSB710-RT1 |
文档 |
Multiple Devices 07/Jul/2010 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
产品更改通知 | Product Obsolescence 07/Jul/2010 |
标准包装 | 3,000 |
晶体管类型 | PNP |
- 集电极电流(Ic)(最大) | 500mA |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 50V |
Vce饱和(最大)@ IB,IC | 600mV @ 30mA, 300mA |
电流 - 集电极截止(最大) | - |
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE | 120 @ 150mA, 10V |
功率 - 最大 | 200mW |
频率转换 | - |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
供应商器件封装 | SC-59 |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
集电极最大直流电流 | 0.5 |
最小直流电流增益 | 120@150mA@10V|40@500mA@10V |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作温度 | 150 |
最大集电极基极电压 | 60 |
标准包装名称 | SOT-23 |
包装高度 | 1.09 |
安装 | Surface Mount |
最大功率耗散 | 200 |
最大基地发射极电压 | 7 |
封装 | Tape and Reel |
PCB | 3 |
最低工作温度 | -55 |
每个芯片的元件数 | 1 |
包装宽度 | 1.5 |
供应商封装形式 | SC-59 |
包装长度 | 2.9 |
最大集电极发射极电压 | 50 |
类型 | PNP |
引脚数 | 3 |
电流 - 集电极( Ic)(最大) | 500mA |
晶体管类型 | PNP |
安装类型 | Surface Mount |
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 | 600mV @ 30mA, 300mA |
标准包装 | 3,000 |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 50V |
供应商设备封装 | SC-59 |
功率 - 最大 | 200mW |
封装/外壳 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 | 120 @ 150mA, 10V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
工厂包装数量 | 3000 |
集电极 - 发射极饱和电压 | - 0.6 V |
产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
晶体管极性 | PNP |
发射极 - 基极电压VEBO | 7 V |
最大功率耗散 | 0.2 W |
直流集电极/增益hfe最小值 | 120 at 150 mA at 10 V |
集电极最大直流电流 | 0.5 A |
集电极 - 发射极最大电压VCEO | - 60 V |
安装风格 | SMD/SMT |
集电极 - 基极电压VCBO | - 50 V |
最低工作温度 | - 55 C |
配置 | Single |
最高工作温度 | + 150 C |
RoHS | RoHS Compliant |
连续集电极电流 | - 0.5 A |
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